摘要：本文设计了一种双层开口方环和双C型结构的超材料结构,在太赫兹波段具有双波段的类电磁诱导透明效应.该结构在1.438 THz和1.699 THz处出现透射峰.通过电磁场分布分析讨论产生双频带电磁诱导透明的原因,利用等效电路分析方法进一步解释了超材料中的类电磁诱导透明效应.研究了超材料开口方环的开口大小和双C型结构距离以及改变入射角度时对透射窗口的影响,结果发现在改变入射角度时,所设计材料透射谱线变化较大,表现出对角度的高敏感性.同时,改变环境的介电常数可以得到该结构的透射谱产生明显的红移.以上研究结果表明该结构在角度滤波器,折射率传感器等器件中有潜在的应用.

摘要：覆铜陶瓷(DBC)基板在功率模块的封装中应用广泛,其热传导性能对于功率模块的可靠性至关重要。基于智能功率模块(IPM)中覆铜陶瓷基板的图形化结构,制作不同材料及厚度的DBC基板样品并进行了热传导性能测试。通过仿真研究,进一步讨论DBC基板各层材料及厚度等因素的影响规律。实验与仿真结论一致,DBC基板的热传导性能随铜层厚度增加先增强后降低,随陶瓷层厚度增加而降低。在瞬态研究中发现,相同功率加载的初始10 s内,不同材料结构的DBC基板样品最高温度差高于55℃。因此,优化DBC基板的陶瓷层材料和尺寸设计对于提升功率模块的热可靠性有着重要的意义。

摘要：提出了一种可用于微波段的可调超材料吸波器设计.该超材料吸波器由两个长度成一定比例的闭口金属环和一个十字形谐振器组成,在5~12 GHz频率范围内具有三个独立可调的工作频段(C和X波段),分别为6.36 GHz、7.96 GHz、10.12 GHz,吸收率分别为0.937、0.999和0.993.在大角度入射时,该吸波器可保持较高的吸收效率.此外研究了设计结构的可调谐性,当顶层的二氧化钒(VO2)处于全金属状态时,微波段有三个吸收峰,吸收率最高值分别为0.939、0.827、0.92.由于VO2的电导率从30000 S/m到200000 S/m变化,吸收率在三个吸收峰上实现了动态可调.该研究结果在多波段传感检测中有潜在的应用前景.

摘要：GaN HEMT功率器件通常用于高频开关频率下(MHZ以上),尤其开关频率达到10 MHZ以上之后,对栅驱动芯片的内部的电源电路设计要求更加苛刻[1]。本文设计了一种带欠压保护功能的LDO电源产生电路,能实时检测电源电压是否处于欠压状态,进而通过关闭电源对芯片进行保护,避免欠压状态对芯片内部电路造成的损害。采用华润微电子0.18 um BCD工艺,完成了电路的仿真设计验证,LDO的输入电压为5 V、输出电压为1.8 V,负载电流在0 mA到20 mA,1 MHz频率跳变时测得下冲电压为500 mV左右,其负载瞬态响应的时间420 ns左右。输入电源电压从欠压到正常跳变,以及正常状态到欠压跳变过程中,欠压保护电路均能很好实现控制信号输出。

摘要：介绍了一种用于高压功率集成电路的高速电平位移电路,采用窄脉冲产生电路结构,提取低压控制信号的边沿信息,将其分解为2路窄脉冲信号分别驱动高压LDMOS,实现高低压侧电路区域之间信号的快速可靠传输,大幅降低了整个电平位移电路延时和运行功耗。该电路基于0.18μm 80 V BCD工艺进行仿真设计,由仿真结果可知,实现了由输入0~5V至80~85V的电平转换功能,能够满足用于GaN栅驱动芯片的高速要求。

摘要：集成化与微型化是当今电子信息产业发展的特点,其中电子元件的结温与热应力是影响其可靠性的重要因素。硅基IGBT和SiC基续流二极管组成的混合模块广泛应用于城市轨道交通等领域,其可靠性直接影响轨道交通车辆的运行性能。本文建立IGBT混合模块的仿真模型,随着各层材料厚度、焊料空洞大小和位置的变化,计算分析IGBT混合模块的温度与应变变化规律,对模块封装结构进行优化设计。将高热导率石墨烯应用在IGBT混合模块中,仿真分析应用位置不同对模块可靠性的影响,从而进一步优化混合模块的封装结构。通过仿真计算,优化后的IGBT混合模块可将最高结温降低近3℃,最大热应力下降超过30 MPa。

摘要：本文研究了一种基于石墨烯超表面结构,该结构由多个石墨烯条和圆环,介质层和金属层组成。利用时域有限差分法研究了该超表面结构的电磁特性。研究结果表明,该结构具有双波段电磁吸收特性。本文从石墨烯的化学电位势、结构参数、电磁波入射角和电磁场分布等方面研究该双频吸波器的吸收机制。研究发现在该结构中,改变石墨烯条的化学电位势可以影响吸收频点的吸收率大小;改变该结构的几何尺寸参数可以改变吸收频点的位置。从研究结果中还发现:入射角从0°到70°变化,双频吸收效果依然存在。因此在大角度电磁吸收器设计中具有一定的指导意义和潜在的应用。

摘要：为了理论计算反激变换器功率MOS管关断瞬间漏极电压尖峰极值,通过分析无源耗散型RCD箝位电路工作原理,建立功率MOS管关断后漏极电压瞬态二阶微分方程,并推导该方程取得极值的条件.结果表明:无源耗散型RCD箝位电路箝位电容C c两端电压的稳态值V cs的设定是箝位电压极值的关键参数;V cs取值过大会导致较大的功率MOS管漏极电压尖峰,V cs取值过小会带来过高的反射能耗从而降低反激变换器的工作效率.最终选取反射能耗和变压器漏感能量相等作为约束V cs变化的条件,推导无源耗散型RCD箝位电路元件参数并给出设计实例,试验结果证明了理论分析的可行性和正确性.

摘要：本文设计了一种多金属横条超材料结构,在0.5~1.2 THz之间产生多波段类电磁诱导透明(EIT-like)效应,改变上层金属条之间的间距以及电磁波的入射角度,发现所设计器件具有角度不敏感的特性。将上层金属横条都替换成石墨烯材料后,通过改变加载在石墨烯上的电压,可以调节EIT窗口,在慢光器件方面有潜在应用。

摘要：设计了一种GaN半桥驱动器高性能电平移位电路,一方面采用短脉冲控制的高速镜像噪声电流与噪声电流相互抵消的方法消除共模噪声,另一方面采用脉冲宽度调制(PWM)控制的正反馈互锁电路,该电路不含RC滤波,用来消除由于工艺偏差造成的差模噪声,以保证输出信号稳定。抗负压电路采用降压电平移位电路实时监测高侧电压浮动状态并反馈回自举充电回路,使充电时间避开负压时间。在0.18μm 85 V BCD工艺下完成设计,工作频率达到5 MHz,上升时间为4.1 ns,下降时间为3.8 ns,满足高频GaN栅驱动应用需求。