T=题名(书名、题名),A=作者(责任者),K=主题词,P=出版物名称,PU=出版社名称,O=机构(作者单位、学位授予单位、专利申请人),L=中图分类号,C=学科分类号,U=全部字段,Y=年(出版发行年、学位年度、标准发布年)
AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
范例一:(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二:P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016
摘要:文中提出了一种片上FLASH替换设计方法,在不改变原FLASH控制逻辑的情况下,通过增加接口转换逻辑,在原FLASH控制接口与新FLASH IP接口之间进行功能与时序的转换,实现片上FLASH的替换。由于固化了已有的成功设计,从而大大降低了替换修改带来的风险。通过测试仿真,输出结果在接口功能和时序上都符合新的FLASH IP的工作要求,并在某SOC的FLASH IP替换中应用。
摘要:空间应用计算机硬件系统的电子器件容易受到电磁场的辐射和重粒子的冲击,导致星载计算机中的数据特别是存储器中的数据出现小概率的错误。这种错误若不及时进行纠正,将会影响计算机系统的运行和关键数据的正确性。文中设计的纠错编码电路采用ASIC设计流程实现,具备自动纠正静态存储器中一位错误的功能,电路用于星载计算机数据管理系统,可以有效提高整机系统的稳定性。
摘要:首先介绍了空间辐射环境,并对各种辐射效应及其损伤机理进行分析。然后对体硅CMOS集成电路的电路结构、抗辐射加固技术和版图设计抗辐射加固技术进行探索。测试结果表明,采用版图加固抗辐射技术可以使体硅CMOS集成电路的抗辐射性能得到明显提升。
摘要:由于SoC结构的复杂性,必须考虑采用多种可测性设计策略。从功能测试的角度出发,提出了一种基于复用片内系统总线的可测性设计策略,使得片内的各块电路都可被并行测试。阐述了其硬件实现及应用测试函数编写功能测试矢量的具体流程。该结构硬件开销小,测试控制过程简单,可减小测试矢量规模,已应用到一种基于X8051核的智能测控SoC,该SoC采用0.35μm工艺进行了实现,面积为4.1 mm×4.1 mm,测试电路的面积仅占总面积的2%。
摘要:文章提出了一种基于IEEE 1149.1 JTAG协议的SoC调试接口,该设计支持寄存器查看和设置、CPU调试、IP核调试、边界扫描测试等功能。对该接口的整体结构框图到设计都进行了详细的阐述。该接口成功地应用于测控SoC中,具有很好的参考价值。
摘要:本文首先阐述了集成电路成本核算的必要性,接着分析了数字集成电路成本的构成,着重论述了影响数字集成电路成本的各种因素,进行了量化建模,最后给出了系数的选取原则。
摘要:基于AMBA2.0总线,设计并实现了一种使用3DES加密算法的IP核。该设计通过了行为级功能仿真和综合后的时序仿真,成功运用于一款32位浮点DSP芯片中,并且用TSMC 65 nm CMOS工艺实现。目前该IP核已经投入使用,在500 MHz的工作频率下,3DES加/解密速率达到615 Mbps,可以满足大部份系统数据处理的需求。
摘要:FPGA已经成为当今数字化系统硬件设计的核心,全球90%以上的嵌入式系统设计工程师正在使用FPGA进行着各种各样的设计。FPGA的快速发展,为测试厂商带来了新的机遇和挑战,针对FPGA的各种创新测试技术和解决方案不断问世。文章介绍FPGA配置方法,着重介绍了利用测试系统(ATE)直接配置和基于CPLD+FLASH的FPGA配置方法,介绍了FPGA配置模式选择和配置代码生成方法,并以Virtex-II FPGA为例,详细讲述了FPGA配置与测试过程。
摘要:存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节。经典DICE单元可以在静态情况下有效地抗单粒子翻转,但是动态情况下抗单粒子翻转能力较差。提出了分离位线的DICE结构,使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力。同时,对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法,解决锁存器发生SEU的问题。该设计对SRAM进行了多方位的加固,具有很强的抗单粒子翻转能力。
摘要:介绍了在一款C波段无线电高度表的设计和研制过程中,温补调频电路的实现方法。通过分析VCO温度特性,设计了合适的补偿电路,实现该C波段无线电高度表在高低温(-45℃~65℃)情况下的工作频率稳定性。通过最终的测试结果,验证了该温补调频电路的实用性。
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