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减小CMOS逻辑器件的ΔI噪声的方法
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《电波科学学报》2000年 第3期15卷 282-288页
作者:任克宁 张林昌 沙斐ElektrobitLtd.Tutkijantie890570 北方交通大学抗电磁干扰中心 
通过确定 CMOS逻辑器件的各种参数与馈通电流和容性负载充放电电流的定量关系 ,得出设计 CMOS逻辑器件的各种参数以减小ΔI噪声 ,从电磁兼容的角度提出了设计 CMOS器件的方法。
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