摘要：2012年8月14日，globalfoundries和ARM在上海宣布已签订了一份多年期协议，旨在为采用GLOBAL—FOUNDRIE20nm与FinFET工艺的ARM处理器设计提供优化的系统级芯片（SoC）解决方案。该协议将进一步拓展双方长期合作关系，并将合作领域扩展到在移动设备中重要性逐渐提高的图像处理器元件中。作为协议的一部分，

摘要：格芯globalfoundries 22FDX~(22nm FDSOI)工艺是一个差异化的工艺,它能有Fin FET工艺那样的性能,也能有28nm工艺设计技术上的简单和成本优势。这个工艺所具有的后栅偏压可调(back-gate bias)的功能及其优化功耗、性能和面积(Power,Performance and Area,PPA)的特性能提供巨大的机会,能在广阔的应用市场去设计目前已经存在的并差异化的产品。在这篇论文中,我们会讨论到利用这种工艺特征以及电路设计和工艺技术的相互优化,从而设计出基于22FDX~工艺最好的IP,设计方法和验收标准。并且分析在模拟电路以及混合信号电路设计中相对于常规技术,利用后栅偏压可调功能的优化PPA差异性技术。我们探索和设计了三个不同电路,包括运算跨导放大器(Operational Transconductance Amplifier,OTA)、比较器(Compactor)、数控振荡器(Digitally Controlled Oscillator,DCO)。

摘要：本项目由Open-Silicon,GLOBALFOUNDRI ES和Amkor三家公司合作完成。两颗28nm的ARM处理器芯片,通过2.5D硅转接板实现集成。芯片的高性能集成通常由晶体管制程提高来实现,应用2.5D技术的Si P正成为传统芯片系统集成的有效替代。Open-Silicon负责芯片和硅转接板的设计,重点在于性能优化和成本降低。GLOBALFOUNDRI ES采用28nm超低能耗芯片工艺制造处理器芯片,而用65nm技术制造2.5D硅转接板。包括功耗优化和功能界面有效管理等概念得到验证。硅基板的高密度布线提供大量平行I/O,以实现高性能存储,并保持较低功耗。所开发的EDA设计参考流程可以用于优化2.5D设计。本文展示了如何将大颗芯片重新设计成较小的几颗芯片,通过2.5D硅转接板实现Si P系统集成,以降低成本,提高良率,增加设计灵活性和重复使用性,并减少开发风险。