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基于共振隧穿理论的gaas基RTD的设计与研制: 收藏
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引用; 《光电子．激光》2011年第2期22卷 189-192页; 作者：武一宾杨瑞霞杨克武商耀辉卜夏正牛晨亮赵辉王建峰河北工业大学信息工程学院天津300130 GaAs超高速集成电路与微波功率器件国防科技重点实验室河北石家庄050051; 以共振能级的透射系数半峰宽(FWHM)做为共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计的依据,对gaas/A-lAs/In0.1Ga0.9As材料体系的RTD进行了设计。用分子束外延(MBE)进行了RTD结构材料制备,X射线双晶衍射(XRD)分析表明,制备的异质结界面光滑、层厚...; 以共振能级的透射系数半峰宽(FWHM)做为共振隧穿二极管(RTD)材料结构设计的依据,对gaas/A-lAs/In0.1Ga0.9As材料体系的RTD进行了设计。用分子束外延(MBE)进行了RTD结构材料制备,X射线双晶衍射(XRD)分析表明,制备的异质结界面光滑、层厚准确。RTD采用台面结构,器件特性测试结果表明,峰值电流密度为112 kA/cm2时,电流峰-谷比达到8.25。; 来源：详细信息评论

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