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Design, Fabrication, and Measurement of Two Silicon-Based Ultraviolet and Blue-Extended Photodiodes: 收藏
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引用; 《Photonic Sensors》2014年第4期4卷 373-378页; 作者：Changping CHEN Han WANG Zhenyu JIANG Xiangliang JIN Jun LUOFaculty of Materials Optoelectronics and Physics Xiangtan University Xiangtan 411105 China Hunan Engineering Laboratory for Microeleetronics Optoelectronics and System on A Chip Xiangtan 411105 China The forty-eighth Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation Changsha 410111 China Department of Precision Mechanical Engineering Shanghai University ShanghaL 200444 China; 二基于硅紫外(紫外) 并且扩大蓝色的光电二极管被介绍，它为轻察觉被制作在紫外 / 蓝光谱范围。塑造条纹、八边形圆形的结构被设计验证 UV-responsivity 的参数，紫外选择，故障电压，和反应时间。极端浅的侧面的 pn 连接成功地在标准 0...; 二基于硅紫外(紫外) 并且扩大蓝色的光电二极管被介绍，它为轻察觉被制作在紫外 / 蓝光谱范围。塑造条纹、八边形圆形的结构被设计验证 UV-responsivity 的参数，紫外选择，故障电压，和反应时间。极端浅的侧面的 pn 连接成功地在标准 0.5-m 被认识到扩大 pn 连接区域，提高紫外光的吸收，并且改进 responsivity 和量效率的互补金属氧化物半导体(互补金属氧化物半导体) 过程。说明的测试结果塑造条纹的结构有更低的故障电压，更高的 UV-responsicity，并且更高紫外选择。但是八边形圆形的结构有更低的黑暗电流。两结构的反应时间是几乎一样。; 来源：详细信息评论

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