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LDMOSFET电热耦合解析模型: 收藏
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引用; 《固体电子学研究与进展》2010年第3期30卷 370-376,424页; 作者：孙晓红戴文华严唯敏陈强高怀东南大学国家ASIC系统工程中心南京210096 Infineon Technologies North America CorpMorgan HillCA 95037United States 苏州大学应用技术学院机电工程系江苏苏州215325 Department of Electronic Systemthe Royal Institute of Technology-KTHStockholm 16440Sweden 苏州工业园区教育投资发展有限公司&苏州英诺迅科技有限公司射频功率器件及电路技术中心江苏苏州215123; 建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该...; 建立了包含电热耦合相互作用的大信号非线性射频LDMOSFET解析模型—Agereelectro-thermal transistor(AET)模型,包括:模型的拓扑图、等热和脉冲器件测试表征系统、模型参数的提取过程。在Agilent的电子设计工具软件ADS中植入和实现了该模型,并将其应用于实际射频功率放大器的设计,通过测量验证了该模型的正确。; 来源：详细信息评论

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