摘要：减小沟道材料的厚度并针对栅极结构进行合理设计,有利于增强短沟道场效应晶体管的栅极控制能力.二维半导体具有优异的电学性能,其原子级别的厚度可以实现较强的栅极耦合效果.我们研制了具有Ω型非平面栅极结构的Mo S_(2)晶体管,实现了局部栅极耦合效应的增强,Mo S_(2)顶栅晶体管的跨导达到32.7μS/μm,饱和电流高达0.89 A/μm.在此基础上,我们设计了非门反相器,其电压增益为26.6,噪声迁移达到89%,与非门器件实现了基本的逻辑功能.本文为研制高性能二维半导体场效应晶体管提供了新思路.

摘要：压电半导体具有压电效应和半导体电学特性,可以用于压电电子学器件和压电光电子学器件.压电电子学器件和压电光电子学器件利用外加应变产生的压电电荷调控压电电子学pn结、金属半导体(M-S)接触的载流子传输、分离、复合等过程.压电电子学器件具有灵敏度高、响应速度快和功耗超低的优点,非常适合在自驱动系统中应用,因此在物联网、可穿戴系统、植入式传感系统具有巨大的应用价值.压电电荷的分布宽度能够显著影响压电电子学器件的传感性能,是压电电子学器件重要参数之一.压电电荷的分布宽度则可以通过压电电子学器件的电容电压(C-V)特性获得.本文以压电电子学金属-绝缘体-半导体(MIS)晶体管为例,提出对压电电荷分布影响进行测量和计算的理论模型,并进行了数值模拟,为以C-V测量为基础的结区压电电荷分布宽度实验设计给出了可行的理论方案.

摘要：设计性能优异的硝基化合物选择性加氢或转移加氢生成胺类的非贵金属多相催化剂具有重要的意义,但又具有很大的挑战性.本文报道了氮掺杂碳负载的单原子Fe催化剂(Fe_(1)/N-C).通过调控温度,Fe_(1)/N-C催化剂对硝基苯的选择性加氢和转移加氢均具有良好的催化性能.DFT计算表明,Fe_(1)/N-C在较低温度下能够很好地活化反应物和中间体,因此具有较高的选择性加氢活性.此外,Fe_(1)/N-C在较高温度下可以克服异丙醇脱氢反应的能量障碍,因此具有很好的转移加氢性能.