摘要：ramtron公司是铁电随机存取存储器（F—RAM）技术的领先厂商，相比其它半导体技术，F—RAM技术具有一组独特的功能特性。现在，我们已是中国和世界各地公认的设计、开发和提供F—RAM半导体存储器和集成半导体解决方案的领导厂商。

摘要：铁电存储器（FRAM）作为非易失性的存储器，现正越来越受到更多设计工程师的欢迎。随着存储器技术渐趋成熟，已由独立的形式转变为嵌入式．市场对嵌入式FRAM的兴趣也越来越浓。为了适应这个趋势，ramtron公司推出了VRS51L3074，嵌入了8KBFRAM。而本文将描述嵌入式FRAM的应用实例。

摘要：若系统设计需要采用半导体存储器技术,工程师有（但不限于）以下选择：电池备份静态随机存储器（battery backed static random accessmemory,BBSRAM）;非易失性SRAM;铁电随机存取存储器（F-RAM）;以及其它noVRAM技术。在从工厂自动化和电信到计量和医疗技术的每一种应用中，要确定最适合的存储器选择，是一项重要的设计考虑事项。

摘要：从事嵌入式系统的设计工程师通常会根据需要保存的内容来选择存储器类型.一个简单的区分办法就是在非易失性存储器中保存可执行代码,而在易失性存储器中保存数据（需要存档的数据除外）.近年，随着消费类电子的兴起，包含图像和音乐信息的数据也开始使用硬盘和闪存这些非易失性存储器来保存。但是一个系统中多种存储器共存的局面依然没有改变。

摘要：伪静态存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器，即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器及铁电随机存储器（FRAM）。本文所描述的技术与电路可用于设计伪静态存储器，可直接替代静态存储器。通过移动电话中PSRAM的快速采用，及从BBSRAM向FRAM的持续迂移。

摘要：伪静态（Pseudostatic）存储器的设计是用于直接替代静态随机存储器（SRAM），即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器（PSRAM）及铁电随机存储器（F—RAM）。PSRAM针对慢速SRAM应用；当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM（即BBSRAM）应用，在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得，在这种应用中可以提供卓越的性能。本文将解释这两种伪静态存储器如何实现其功能及有助于简化系统设计人员的工作。

摘要：铁电存储器(FRAM)作为非易失性的存储器,现正越来越受到更多设计工程师的欢迎。随着存储器技术渐趋成熟,已由独立的形式转变为嵌入式,市场对嵌入式FRAM的兴趣也越来越浓。为了适应这个趋势,ramtron公司推出了VRS51L3074,嵌入了8KB FRAM。而本文将描述嵌入式FRAM的应用实例。

摘要：汽车安全系统在未来数年间将变得越来越趋于精密。这一趋势会影响到attachrate以及安全气囊系统和汽车稳定性控制系统的的复杂程度。随着这些系统中的电子部分越来越重要，同时对半导体存储器的容量要求也随之增长。本文概述了在设计新一代安全气囊系统存储方案时应该考虑的问题。