摘要：本文用脉冲激光沉积系统外延生长了LaMnO3(LMO)薄膜,研究了拉应力和压应力对薄膜磁学性质的影响,发现在拉应力和压应力的衬底上,外延生长这种A型反铁磁LMO薄膜,均可出现交换偏置现象.这是因为外应力导致衬底与薄膜界面处的MnO6氧八面体发生转动,从而使临近衬底的LMO薄膜下层出现了净磁矩表现铁磁性;而那些远离衬底的LMO薄膜上层则由于外应力的释放,仍保持原有的反铁磁性.因此,LMO薄膜中自发的交换偏置现象,源于铁磁性与反铁磁性之间的交换耦合作用.这种在单一LMO薄膜中实现交换偏置的现象,为自旋阀器件的优化设计提供了一种新方法.

摘要：稀土正铁氧体SmFeO3由于在低能耗自旋电子学器件领域的潜在应用,被认为是一种杰出的单相多铁材料.然而,至今尚未证明该体系在室温下兼具磁性、铁电性以及磁电耦合效应.本文使用脉冲激光沉积法在可以提供拉应力的Nb-SrTiO3基片上成功外延了倾斜反铁磁SmFeO3单层薄膜.测量结果显示薄膜具有明显的室温铁磁和铁电序.同时,随着厚度的增加,薄膜的磁各向异性逐渐从面外转移到面内方向,这是由应力释放效应导致的O 2p-Fe 3d杂化强度和Fe-3d轨道占据变化同时引起的.另外,电压驱动可逆磁畴反转进一步证明SmFeO3薄膜具有明显的室温磁电耦合效应.本工作对设计新一代电写磁读数据存储器件具有一定的推动作用.