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相变存储器多态存储方法: 收藏
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引用; 《复旦学报（自然科学版）》2008年第1期47卷 95-100页; 作者：刘欣周鹏林殷茵汤庭鳌赖云峰乔保卫冯洁蔡炳初 BOMY CHEN复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433 上海交通大学微纳科学技术研究院上海200030 Silicon Storage Technology Inc.1171 Sonora CourtSunnyvaleCA 94086USA; 提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统"高阻态"和"低阻态"两态之间稳定的中间电阻状态.与传统实现相变多态存储的方法相比,利用这两种方...; 提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统"高阻态"和"低阻态"两态之间稳定的中间电阻状态.与传统实现相变多态存储的方法相比,利用这两种方法实现的多值相变存储,可以有效地提高多态存储的可靠性和抗噪声性能,有利于在提高存储密度的同时简化外围电路的设计,在实际应用中有良好的前景.; 来源：详细信息评论

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