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检索条件"机构=State Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor"
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Design and analysis on four stage SiGe HBT low noise amplifier
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《High Technology Letters》2015年 第3期21卷 358-363页
作者:井凯 Zhuang Yiqi Li Zhenrong Lin ZhiyuDepartment of MicroelectronicsXidian University State Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor 
Focusing on the linearity shortcoming on a bipolar low noise amplifier(LNA),a new 6 ~14GHz four stage SiGe HBT LNA is *** amplifier adopts a method of gain allocation on multiple stages to avoid the limitation on line...
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基于苊烯酰二亚胺小分子/二氧化钛双分子电子传输层的高效钙钛矿太阳能电池(英文)
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《Science China Materials》2019年 第4期62卷 497-507页
作者:邵佳伟 郭兴 侍男男 张幸林 刘书利 林珍华 赵保敏 常晶晶 邵进军 董晓臣Key Laboratory of Flexible Electronics (KLOFE) & Institute of Advanced Materials (IAM) Nanjing Tech University (NanjingTech) State Key Discipline Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Technology Shaanxi Joint Key Laboratory of Graphene School of Microelectronics Xidian University Key Laboratory for Organic Electronics and Information Displays & Institute of Advanced Materials (IAM) Nanjing University of Posts and Telecommunications 
设计合成高效n型小分子半导体作为钙钛矿太阳能电池的电子传输层对实现低温、可溶液加工的钙钛矿太阳能电池具有重要意义.本文合成了三个低LUMO能级、基于苊烯酰二亚胺的小分子受体材料AI1, AI2, AI3,系统表征了其光物理性质及电化学、...
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